Przerwy energetyczne Eg (szerokości pasm wzbronionych) pomiędzy pasmem walencyjnym i pasmem przewodnictwa wybranych półprzewodników i samoistna koncentracja nośników ni

Półprzewodnik Przerwa energetyczna (termiczna) Eg (0 K)
eV
Przerwa energetyczna (termiczna) Eg (300 K)
eV
Samoistna koncentracja nośników ni (300 K)
cm-3
Krzem (Si) 1,17 1,12 1,5 × 1010
German (Ge) 0,75 0,67 2,4 × 1013
Arsenek galu (GaAs) 1,52 1,43 5 × 107
Tellurek kadmu (CdTe) 1,61 1,44